[发明专利]磁阻效应元件、半导体装置和电子设备在审
| 申请号： | 202180040309.1 | 申请日： | 2021-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN115700064A | 公开（公告）日： | 2023-02-03 |
| 发明（设计）人： | 苅屋田英嗣;佐藤阳 | 申请（专利权）人： | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号： | H10N50/10 | 分类号： | H10N50/10;H10N50/01;H10N50/85;H10B61/00;H01F10/30 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 张小稳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种磁阻效应元件，该磁阻效应元件具有相对高的磁阻比(MR比)同时抑制了元件电阻(RA)。该磁阻元件设置有：第一氧化物绝缘层，布置在所述磁化固定层的一面侧；磁化自由层，布置在所述第一氧化物绝缘层的与所述磁化固定层侧相反的一侧，并具有垂直磁各向异性；第二氧化物绝缘层，布置在所述磁化自由层的与所述第一氧化物绝缘层侧相反的一侧；以及金属帽层，布置在所述第二氧化物绝缘层的与所述磁化自由层侧相反的一侧。第二氧化物绝缘层的膜厚大于第一氧化物绝缘层的膜厚。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 效应 元件 半导体 装置 电子设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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