[发明专利]用于生产半导体晶片的方法在审

专利信息
申请号: 202180044647.2 申请日: 2021-06-10
公开(公告)号: CN115917058A 公开(公告)日: 2023-04-04
发明(设计)人: T·米勒;M·格姆利希;G·基辛格;K·曼格尔贝格尔;M·什克罗鲍奈克 申请(专利权)人: 硅电子股份公司
主分类号: C30B15/00 分类号: C30B15/00;C30B29/06;C30B33/02;C30B15/20
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 过晓东
地址: 德国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及生产单晶硅半导体晶片的方法,该方法包括:提供单晶硅衬底晶片,该衬底晶片包含浓度超过5x1016AT/cm3的间隙氧(新ASTM);对该衬底晶片进行RTA处理,该RTA处理包含:对衬底晶片的第一热处理,该第一热处理是在处于不小于1200℃且不超过1260℃的温度范围内的第一温度下进行,持续时间不小于5秒且不超过30秒,其中衬底晶片的正面暴露于包含氩的气氛;对衬底晶片的第二热处理,该第二热处理是在处于不小于1150℃且不超过1190℃的温度范围内的第二温度下进行,持续时间不小于15秒且不超过20秒,其中衬底晶片的正面暴露于包含氩和氨的气氛;以及对衬底晶片的第三热处理,该第三热处理是在处于不小于1160℃且不超过1190℃的温度范围内的第三温度下进行,持续时间不小于20秒且不超过30秒,其中衬底晶片的正面暴露于包含氩的气氛。
搜索关键词: 用于 生产 半导体 晶片 方法
【主权项】:
暂无信息
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