[发明专利]应变弛豫层在审
| 申请号： | 202180048539.2 | 申请日： | 2021-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN115777152A | 公开（公告）日： | 2023-03-10 |
| 发明（设计）人： | 安德烈亚·皮诺斯;谭唯欣;萨米尔·迈祖阿里;约翰·莱尔·怀特曼;喻翔;金俊允 | 申请（专利权）人： | 普列斯半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 郭翱杰 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种在磊晶结晶结构中形成应变弛豫层的方法，该方法包括：提供结晶模板层，该结晶模板层包括具有第一自然弛豫的面内晶格参数的材料；形成第一磊晶结晶层于该结晶模板层上，其中，该第一磊晶结晶层的初始导电率高于该结晶模板层的电导率；形成第二磊晶结晶层于该第一磊晶结晶层上，其中，该第二磊晶结晶层的电导率低于该第一磊晶结晶层的该初始导电率，该第二磊晶结晶层包括具有第二自然弛豫的面内晶格参数的材料，该第二自然弛豫的面内晶格参数与该结晶模板层的该第一自然弛豫的面内晶格参数不同；藉由该第一磊晶结晶层的电化学蚀刻在该第一磊晶结晶层中形成孔隙，以通过在第一磊晶结晶层中和/或在该第一磊晶结晶层和该第二磊晶结晶层之间的界面处的键的塑性变形来实现该第二磊晶结晶层中的应变弛豫；以及形成包含导电材料的一个或多个通道，该一个或多个通道至少穿过该第一磊晶结晶层及该第二磊晶结晶层，从而实现通过该第一磊晶结晶层和该第二磊晶结晶层到该结晶模板层的电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 应变 弛豫层 | ||
【主权项】：
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