[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202180049182.X | 申请日： | 2021-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN115803889A | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 加纳赛格·S | 申请（专利权）人： | 康庞泰克私人有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 唐述灿 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件(10)，包括衬底(11)、半导体层(12)、应力源层(13)、绝缘屏障(14)和多个电连接器。该半导体层(12)夹在该衬底(11)和该应力源层(13)之间。该应力源层(13)位于该半导体层(12)的顶部，并能够在所述半导体层上诱导应变。半导体器件的制造方法包括形成衬底(110)，在该衬底上外延生长半导体层(120)，在该半导体层上沉积应力源层(130)，以及形成多个电连接器(140)等步骤，该多个电连接器能够将该半导体器件电连接至外部电路。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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