[发明专利]包括存储器单元串的存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法在审
| 申请号： | 202180049869.3 | 申请日： | 2021-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN116391453A | 公开（公告）日： | 2023-07-04 |
| 发明（设计）人： | J·D·霍普金斯;A·N·斯卡伯勒 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H10B41/27 | 分类号： | H10B41/27 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法包括形成堆叠，所述堆叠包括竖直交替的第一层和第二层。所述堆叠包括横向间隔开的存储器块区，其间具有水平伸长的沟槽。沟道开口在所述存储器块区中延伸穿过所述第一层和所述第二层。沟道材料串的沟道材料形成于所述沟道开口中，且所述沟道材料形成于所述水平伸长的沟槽中。所述沟道材料从所述水平伸长的沟槽移除，且所述沟道材料串的所述沟道材料留在所述沟道开口中。在从所述水平伸长的沟槽移除所述沟道材料之后，中间材料形成于所述水平伸长的沟槽中，横向地位于横向紧邻的所述存储器块区之间且纵向地沿着横向紧邻的所述存储器块区。公开了其它实施例，包含独立于方法的结构。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 存储器 单元 阵列 用于 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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