[发明专利]GaN晶体和GaN衬底在审
| 申请号： | 202180051365.5 | 申请日： | 2021-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN115885058A | 公开（公告）日： | 2023-03-31 |
| 发明（设计）人： | 塚田悠介;大岛祐一;江夏悠贵 | 申请（专利权）人： | 三菱化学株式会社;国立研究开发法人物质•材料研究机构 |
| 主分类号： | C23C16/34 | 分类号： | C23C16/34 |
| 代理公司： | 上海华诚知识产权代理有限公司 31300 | 代理人： | 李晓 |
| 地址： | 日本国东京都千*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明提供一种GaN晶体，其可用于在如GaN‑HEMT这样的横向器件结构的氮化物半导体器件中应用的衬底；以及一种GaN衬底，其可用于如GaN‑HEMT这样的横向器件结构的氮化物半导体器件的制造。该GaN晶体具有5cm |
||
| 搜索关键词： | gan 晶体 衬底 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三菱化学株式会社;国立研究开发法人物质•材料研究机构，未经三菱化学株式会社;国立研究开发法人物质•材料研究机构许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202180051365.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
