[发明专利]半导体发光元件以及半导体发光元件的制造方法在审
| 申请号： | 202180053454.3 | 申请日： | 2021-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN116210090A | 公开（公告）日： | 2023-06-02 |
| 发明（设计）人： | 上山智;竹内哲也;岩谷素显;赤崎勇;卢卫芳;伊藤和真;曾根直树 | 申请（专利权）人： | 株式会社小糸制作所;学校法人名城大学 |
| 主分类号： | H01L33/08 | 分类号： | H01L33/08 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 岳雪兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体发光元件(10)具备生长基板(11)、形成在生长基板(11)上的掩模(13)、从设置在掩模的开口部生长的柱状半导体层。柱状半导体层在中心形成有n型纳米线层(14)，在比n型纳米线层(14)更靠外周形成有有源层(15)，在比有源层(15)更靠外周形成有p型半导体层(16)。开口部的开口率为0.1％以上5.0％以下，发光波长为480nm以上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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