[发明专利]正极活性物质的制造方法在审
| 申请号： | 202180054018.8 | 申请日： | 2021-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN116057010A | 公开（公告）日： | 2023-05-02 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;挂端哲弥;米田佑美子;栗城和贵 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | C01B25/45 | 分类号： | C01B25/45 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 刘多益;葛臻翼 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种高纯度化的正极活性物质的制造方法。或者，提供一种即便反复进行充放电结晶结构也不易崩坏的正极活性物质的制造方法。一种包含锂和过渡金属的正极活性物质的制造方法，包括如下步骤：准备锂化合物、磷化合物和水的第一步骤；混合锂化合物、磷化合物及水形成第一混合物的第二步骤；对第一混合液加入第一水溶液调整pH形成第二混合液的第三步骤；对第二混合液混合铁(II)化合物形成第三混合液的第四步骤；加热第三混合液形成第四混合液的第五步骤；以及对第四混合液进行过滤、洗涤及干燥而获得复合氧化物的第六步骤。锂化合物、磷化合物、水及铁(II)化合物使用高纯度材料。 | ||
| 搜索关键词： | 正极 活性 物质 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所，未经株式会社半导体能源研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202180054018.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：食品检测装置
- 下一篇：对人工现实系统的存储器的分级功率管理
