[发明专利]具有改善的平滑度的A-轴约瑟夫森结在审
| 申请号： | 202180057530.8 | 申请日： | 2021-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN116848294A | 公开（公告）日： | 2023-10-03 |
| 发明（设计）人： | M·S·莱比;D·H·哈特曼;M·罗布森 | 申请（专利权）人： | 阿姆巴托雷股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/02 | 分类号： | C30B23/02 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 曹雯;黄歆 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明的各种实施方案涉及可以生长具有低表面粗糙度的高质量a‑轴XBCO。根据本发明的各种实施方案，低表面粗糙度可以通过以下获得：1)制备合适的基底；2)校准组成原子的通量率；和/或3)在晶体生长期间适当的温度控制。本发明的各种实施方案涉及一种晶片，其包含：c‑轴XBCO的平滑层；形成于所述平滑层上的a‑轴XBCO的第一导电层；形成于所述第一导电层上的绝缘层；和形成于所述绝缘层上的a‑轴XBCO的第二导电层，其中，对于相同的表面粗糙度，组合的平滑层和第一导电层的厚度大于没有平滑层的第一导电层的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 改善 平滑 约瑟夫 | ||
【主权项】：
暂无信息
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