[发明专利]包括多个单片式激光二极管的AlInGaAs/InGaAsP/InP边缘发射半导体激光器在审
| 申请号： | 202180057846.7 | 申请日： | 2021-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN116157972A | 公开（公告）日： | 2023-05-23 |
| 发明（设计）人： | 西迪·阿布吉;大卫·M·比恩 | 申请（专利权）人： | 赛米尼克斯有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 王爱涛 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 单片式边缘发射半导体激光器，包括多个激光二极管，使用砷磷化铝铟镓AlInGaAs/InGaAsP/InP材料系统，以长波长(1250nm至1720nm)发射。每一个激光二极管包括有源区，该有源区包括铝铟镓砷量子阱(AlInGaAs QW)和铝铟镓砷(AlInGaAs)势垒，并通过称为隧道结的高掺杂、低带隙和低电阻的铟镓砷结连接到随后的单片式激光二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 单片 激光二极管 alingaas ingaasp inp 边缘 发射 半导体激光器 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于赛米尼克斯有限公司，未经赛米尼克斯有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202180057846.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
