[发明专利]制造半导体装置的方法及膜状黏合剂在审
| 申请号： | 202180058244.3 | 申请日： | 2021-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN116195040A | 公开（公告）日： | 2023-05-30 |
| 发明（设计）人： | 上野惠子;佐藤慎 | 申请（专利权）人： | 株式会社力森诺科 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 白丽 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开一种制造半导体装置的方法，其中，带黏合剂的电路部件通过包括如下步骤的方法来准备：通过将具有半导体芯片或半导体晶圆和膜状黏合剂的层叠体加热至60～100℃并且加压30秒～10分钟，从而贴附于主面。膜状黏合剂在80℃下受到5分钟的热处理时，膜状黏合剂的80℃下的熔融粘度在热处理前为4000Pa·s以上且10000Pa·s以下，在热处理后为11000Pa·s以下。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体 装置 方法 黏合剂 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
