[发明专利]光电半导体器件及其制造的方法在审
| 申请号： | 202180063491.2 | 申请日： | 2021-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN116195079A | 公开（公告）日： | 2023-05-30 |
| 发明（设计）人： | A·普福伊费尔;K·珀兹梅尔;C·克莱姆普 | 申请（专利权）人： | 艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/62 | 分类号： | H01L33/62 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 刘畅 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提出了一种光电半导体器件(16)，包括：‑层堆(9)，其包括至少一个侧表面(9A)、第一主表面(9B)和第二主表面(90)；‑布置在第一主表面(9B)上的第一接触装置(12)，其被设置为用于电接触层堆(9)的第一半导体区域(4)；‑布置在第二主表面(90)上的第二接触装置(17)，其被设置为用于电接触层堆(9)的第二半导体区域(5)并具有辐射透射性；和‑布置在层堆(9)上的导电的边缘层(11)，其从第二接触装置(17)经由侧表面(9A)延伸至第一主表面(9B)，和‑布置在边缘层(11)和层堆(9)之间的第一介电层(10)，其中第二主表面(90)未被第一介电层(10)覆盖。还提出了一种用于制造至少一个光电半导体器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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