[发明专利]制造用于外延生长基于镓的III-N合金层的衬底的方法在审
| 申请号： | 202180065484.6 | 申请日： | 2021-10-04 |
| 公开（公告）号： | CN116420215A | 公开（公告）日： | 2023-07-11 |
| 发明（设计）人： | 埃里克·圭奥特 | 申请（专利权）人： | 索泰克公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 王万影;王小东 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及生产用于外延生长基于镓的III‑N合金层的衬底的方法，所述方法包括以下连续步骤：‑提供单晶碳化硅供体衬底(10)；‑将离子物质植入到所述供体衬底(10)中以形成限定待转移的单晶SiC薄层(11)的弱化区域(12)；‑经由接合层(21)将所述供体衬底(10)接合到第一受体衬底(20)上；‑沿着所述弱化区域(12)分离所述供体衬底(10)以将所述SiC薄层(11)转移到所述第一受体衬底(20)上；‑在所述SiC薄层(11)上外延生长厚度大于1μm的半绝缘SiC层(30)；‑将所述半绝缘SiC层(30)接合到第二受体衬底(40)上，所述第二受体衬底(40)具有高电阻率；‑去除所述接合层(21)的至少一部分以分离所述第一受体衬底(20)；‑去除被转移的单晶SiC薄层(11)以露出所述半绝缘SiC层(30)。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 用于 外延 生长 基于 iii 合金 衬底 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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