[发明专利]集成有垂直场效应晶体管的低压闪速存储器在审
| 申请号： | 202180068268.7 | 申请日： | 2021-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN116264869A | 公开（公告）日： | 2023-06-16 |
| 发明（设计）人： | B·赫克马绍尔塔巴里;A·雷兹尼彻;安藤崇志;龚南博 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H10B61/00 | 分类号： | H10B61/00;H10N59/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 王英杰;于静 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种电路(400)包括与垂直场效应晶体管集成的低压闪速存储器(200)和非易失性存储器元件(100)。低压闪速存储器通过垂直场效应晶体管、一条或多条位线和一条或多条字线与非易失性存储器元件耦合。低压闪速存储器可以提供较低的显著电导，非易失性存储器元件可以提供较高的显著电导。低电压闪速存储器可以包括源极和漏极。源极可以通过外延通道与漏极分开。低压闪速存储器可以包括浮置栅极。浮置栅极可以通过第一电介质层与外延通道分开。低压闪速存储器可以包括控制栅极。控制栅极可以通过第二电介质层与浮置栅极分开。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 垂直 场效应 晶体管 低压 存储器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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