[发明专利]具有光敏本征区的二极管在审
| 申请号： | 202180069940.4 | 申请日： | 2021-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN116349018A | 公开（公告）日： | 2023-06-27 |
| 发明（设计）人： | S·利施克 | 申请（专利权）人： | IHP有限责任公司／莱布尼茨创新微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L31/105 | 分类号： | H01L31/105 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 曲莹 |
| 地址： | 德国法*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种二极管(300)，该二极管包括p型掺杂区(312)、n型掺杂区(314)和光敏本征区(310)，该光敏本征区(310)在与二极管(300)中的光传播方向横切的方向上横向夹在所述p型掺杂区(312)与所述n型掺杂区(314)之间。所述p型掺杂区(312)由掺杂有第一类型的掺杂剂的第一材料制成，所述n型掺杂区(314)由掺杂有第二类型的掺杂剂的第三材料制成。所述第一材料包括硅或硅锗。所述第三材料包括硅或硅锗。所述本征区(310)由与第一材料和第二材料中的至少一种不同的第二材料制成。所述第二材料包括锗、锗锡或硅锗。所述本征区(310)在其两个横向端(318、320)之间的最大横向延伸量等于或小于400纳米。所述p型掺杂区(312)和所述n型掺杂区(314)是原位掺杂的，从而在制造二极管(300)时所述本征区(310)不被掺杂。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 光敏 二极管 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
