[发明专利]CMOS兼容性石墨烯结构、互连体和制造方法在审
| 申请号： | 202180077379.4 | 申请日： | 2021-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN116569319A | 公开（公告）日： | 2023-08-08 |
| 发明（设计）人： | K·班纳吉;J·江;K·阿加希瓦拉 | 申请（专利权）人： | 加利福尼亚大学董事会 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王丹丹 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | MLG(多层石墨烯)器件层结构体与通孔连接。该结构包括在电介质层上的M1 MLG互连体器件层。层间电介质隔开M1 MLG互连体器件层。M2 MLG互连体器件层位于所述层间电介质上。金属通孔穿透M2 MLG互连体器件层、层间电介质和M1 MLG互连体器件层，并贯穿M1 MLG和M2 MLG层的厚度形成边缘接触。经由在扩散温度下施加机械压力使碳从固相石墨烯前体扩散通过催化剂层以在电介质或金属层上沉积MLG从而形成MLG层的方法。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 兼容性 石墨 结构 互连 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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