[发明专利]制造用于半导体光刻的光学元件的主体的方法和用于半导体光刻的光学元件的主体在审
| 申请号： | 202180077451.3 | 申请日： | 2021-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN116601534A | 公开（公告）日： | 2023-08-15 |
| 发明（设计）人： | F-J·斯蒂克尔;A·沃尔珀特 | 申请（专利权）人： | 卡尔蔡司SMT有限责任公司 |
| 主分类号： | G02B5/10 | 分类号： | G02B5/10 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王蕊瑞 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制造用于半导体光刻的光学元件的主体(33)的方法，包括以下方法步骤：‑制造坯件(32)，‑将至少一个流体通道(36.x)引入坯件(32)，然后，‑通过将坯件(32)模制到模具(42)上来制造主体(33)。此外，本发明涉及一种包括至少一个流体通道(36.x)的光学元件的主体(33)，流体通道(36.x)被实施成使得流体通道(36.x)和主体(33)的为光学有效区域(41)提供的表面(40)之间的距离变化小于1mm，优选小于0.1mm，特别优选小于0.02mm。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 用于 半导体 光刻 光学 元件 主体 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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