[发明专利]光刻胶曝光后烘烤装置在审
| 申请号： | 202180088911.2 | 申请日： | 2021-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN116802784A | 公开（公告）日： | 2023-09-22 |
| 发明（设计）人： | 小道格拉斯·A·布池贝尔格尔;德米特里·卢博米尔斯基;约翰·O·杜科维奇;斯里尼瓦斯·D·内曼尼 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/677 | 分类号： | H01L21/677 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;吴启超 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本文提供在光刻工艺期间在无气隙干预的情况下对光刻胶层施加电场及/或磁场的方法及装置。该方法及装置包括：腔室主体，其被配置为填充工艺流体；及基板载体。当将基板装载至基板载体上时基板载体设置于工艺容积外，但在进入工艺流体的同时或之前将所述基板载体旋转至处理位置。在使用电场对基板执行曝光后烘烤工艺之前，将基板载体旋转至平行于电极的工艺位置。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 曝光 烘烤 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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