[发明专利]SiC外延片的制造装置和SiC外延片的制造方法在审
| 申请号： | 202180092349.0 | 申请日： | 2021-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN116761911A | 公开（公告）日： | 2023-09-15 |
| 发明（设计）人： | 高村诚;前川拓滋;森本满;真砂纪之;冈孝保 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;王磊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明的SiC外延片的制造装置(2)包括：生长炉(100A)；设置在生长炉(100A)的外部，将载气和/或物料气体混合并进行压力调节的气体混合预备室(107)；构成为能够将多个包括SiC单晶的两个衬底背靠背接触而成的SiC晶片对(200WP)相互隔开间隙且等间隔配置的晶舟(210)；和将设置在生长炉(100A)内的晶舟(210)加热到外延生长温度的加热部(101)，在SiC外延片制造装置中，该载气和/或物料气体预先在气体混合预备室(107)中混合并进行压力调节后被导入生长炉(100A)，使SiC层在多个SiC晶片对(200WP)的表面生长。本发明提供一种高品质且能够降低成本的SiC外延片的制造装置。 | ||
| 搜索关键词： | sic 外延 制造 装置 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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