[发明专利]成膜方法和成膜装置在审
| 申请号： | 202180093627.4 | 申请日： | 2021-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN116940705A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 中畑俊彦;桥本一义;山口晴正 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34 |
| 代理公司： | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人： | 袁波;刘继富 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提高覆膜的台阶覆盖性。本发明使用具有第一电极、第二电极、第一供电源、第二供电源、相位调节器的成膜装置。第一供电源包含：输出第一高频电力的第一高频电源，和在第一高频电源与第一电极之间连接的第一匹配电路器。第二供电源包含输出与第一高频电力周期相同且比第一高频电力低的第二高频电力的第二匹配电路器。从第二高频电源输出第二高频电力，并且操作相位调节器对第一高频电力的相位与第二高频电力的相位设置相位差θ。检测在第二高频电源的输出阻抗与第二高频电源所连接的负载侧阻抗匹配的状态下的、与相位差θ相应的第二高频电力的电压值Vpp和第一可变电容的电容值C1。组合相位差θ的规定范围中的电压值Vpp和电容值C1来选择。 | ||
| 搜索关键词： | 方法 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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