[发明专利]在硅晶片上制造硼发射极的方法在审
| 申请号： | 202180093738.5 | 申请日： | 2021-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN116848644A | 公开（公告）日： | 2023-10-03 |
| 发明（设计）人： | E·亚策博夫斯基;M·考尔特;S·彼得斯 | 申请（专利权）人： | 韩华QCELLS有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 何伟华 |
| 地址： | 德国比特尔费*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及一种用于在至少一个硅晶片(3)上制造硼发射极的方法，至少一个硅晶片(3)布置在管式炉(1)中，该方法包括用于在硅晶片(3)上形成硼硅酸盐玻璃的步骤，该步骤包括以给定的顺序执行的以下步骤：a)将管式炉(1)抽空至指定压力，b)将包括BCU和氧气的试剂供给到管式炉(1)中并调节至另一指定压力，c)在指定时间期满后停止供应，并允许所供应的试剂相互反应并与硅晶片(3)的表面反应指定时间，以在硅晶片(3)的表面上形成硼硅酸盐玻璃层，和d)在该指定时间期满时抽空管式炉(1)。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 制造 发射极 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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