[发明专利]具有降低的晶体应力的大尺寸碳化硅单晶材料在审
| 申请号： | 202180093803.4 | 申请日： | 2021-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN116848295A | 公开（公告）日： | 2023-10-03 |
| 发明（设计）人： | Y·赫列布尼科夫;V·R·萨哈卡;C·A·肯特;V·F·茨维特科夫;M·J·佩斯利;O·克拉马连科;M·D·康拉德;E·德尼卡;S·格里菲斯;S·布贝尔;A·R·鲍威尔;R·T·伦纳德;E·巴尔卡斯;C·普罗格尔;M·富斯科;A·谢维德;K·多维斯皮柯;L·纳特曼 | 申请（专利权）人： | 沃孚半导体公司 |
| 主分类号： | C30B23/02 | 分类号： | C30B23/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 蔡宗鑫;朱铁宏 |
| 地址： | 美国北卡*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 公开了包括SiC晶片和SiC晶锭的碳化硅(SiC)材料和相关方法，其提供具有降低的晶体应力的大尺寸SiC晶片。SiC材料的生长条件包括保持SiC晶体的大体上凸形的生长表面、调节生长的SiC晶体的前侧到后侧热分布中的差异、供应足够的源通量以允许SiC晶体的商业上可行的生长速率以及减少SiC源材料和对应的SiC晶体中污染物或非SiC颗粒的包含。通过形成表现出较低晶体应力的较大尺寸SiC晶体，可减小与缺失的或附加的原子平面相关联的总位错密度，从而提高晶体质量和可用的SiC晶体生长高度。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 降低 晶体 应力 尺寸 碳化硅 材料 | ||
【主权项】：
暂无信息
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