[发明专利]一种新的采用添加剂制备CsPbI2在审

专利信息
申请号: 202210003548.6 申请日: 2022-01-07
公开(公告)号: CN114335210A 公开(公告)日: 2022-04-12
发明(设计)人: 杨静;王多发;许鑫宇;邢楚武 申请(专利权)人: 湖北大学
主分类号: H01L31/032 分类号: H01L31/032;H01L31/06;H01L31/18
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 430062 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明提供了一种新的采用添加剂制备高质量钙钛矿的方法,其特征在于使用一步沉积法制备CsPbI2Br钙钛矿薄膜的过程中,通过使用添加剂DC (Dibenzo‑18‑Crown‑6)改善了钙钛矿薄膜晶体生长过程,在低温退火过程中,钙钛矿结晶过程容易存在反应不完全的现象,在结晶过程中Cs+与Br容易结合为难溶的残留的CsBr析出,CsBr的析出对器件的性能有很大的影响。DC具有能与碱金属离子反应的物理特性(如附图1所示),可以有效的络合Cs离子,防止Cs+与Br结合为CsBr,在结晶过程中形成了DC‑Cs的络合物,延缓了结晶过程,改善结晶过程,在130℃低温条件下也能制备出高质量的薄膜。
搜索关键词: 一种 采用 添加剂 制备 cspbi base sub
【主权项】:
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