[发明专利]存储器元件及其制造方法在审
| 申请号： | 202210005309.4 | 申请日： | 2022-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN114725280A | 公开（公告）日： | 2022-07-08 |
| 发明（设计）人： | 黄彦霖;宋明远;李乾铭;林世杰;白奇峰;胡宸瑜;黄兆中;陈冠豪;蔡佳晋;邱郁芳;彭成玮 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/04 | 分类号： | H01L43/04;H01L43/08;H01L43/14 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 顾伯兴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本揭露提供一种存储器元件及其制造方法。存储器元件包括磁性穿遂结与自旋霍尔电极。磁性穿遂结包括自由层、参考层以及延伸于自由层与参考层之间的阻障层。自旋霍尔电极接触于磁性穿遂结且经配置以将电荷电流转换为用于写入磁性穿遂结的自旋电流。自旋霍尔电极由包括重金属元素与过渡元素金属的合金构成。重金属元素选自于具有填于5d轨域的一或多个价电子的金属元素，且轻过渡金属元素选自于具有部分填满3d轨域的一或多个价电子的过渡金属元素。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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