[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法和阵列基板在审
| 申请号： | 202210006580.X | 申请日： | 2022-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN114388626A | 公开（公告）日： | 2022-04-22 |
| 发明（设计）人： | 史文 | 申请（专利权）人： | 广州华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12;H01L21/34 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 王朝云 |
| 地址： | 510700 广东省广州市黄埔区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种薄膜晶体管及其制作方法和阵列基板。所述薄膜晶体管包括：第一基板；设置在所述第一基板上的第一金属层；设置在所述第一基板及所述第一金属层上的栅绝缘层；设置在所述栅绝缘层上且与所述第一金属层的位置对应的半导体层；设置在所述半导体层上的金属氟化物层；其中，所述金属氟化物层在对应所述第一金属层的区域具有第一沟道，所述第一沟道将所述金属氟化物层分割为第一金属氟化物层和第二金属氟化物层。本申请提供的薄膜晶体管，在半导体层上设置一层可导电的金属氟化物，由于氟离子易进入到金属氧化物半导体层中，使其氧空位数量较少，进而可提高器件的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制作方法 阵列 | ||
【主权项】：
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