[发明专利]高电子迁移率晶体管的外延结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202210010095.X | 申请日： | 2022-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN114447099A | 公开（公告）日： | 2022-05-06 |
| 发明（设计）人： | 庄文荣;孙明;卢敬权 | 申请（专利权）人： | 东莞市中镓半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 罗泳文 |
| 地址： | 523000 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高电子迁移率晶体管的外延结构及其制备方法，HEMT的外延结构包括：衬底，具有相对的第一主面和第二主面；应力补偿层，位于所述衬底的第二主面上，所述应力补偿层包括第一缓冲层；位于所述衬底的第一主面上的第二缓冲层和器件功能层，所述器件功能层位于所述第二缓冲层上，所述器件功能层包括于所述第二缓冲层上外延生长的碳掺杂的GaN高阻层、非掺杂的GaN沟道层和AlGaN势垒层。本发明通过在衬底的背面引入应力补偿层，应力补偿层的引入可以补偿衬底正面的缓冲层中的应力，使得后续器件功能层可以外延生长于几乎平整的平面上；另一方面，所述的制备方法可以缩短高成本的MOCVD工艺时间，有利于提升生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 迁移率 晶体管 外延 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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