[发明专利]一种背沟道刻蚀结构氧化物薄膜晶体管的制备方法在审
| 申请号： | 202210011514.1 | 申请日： | 2022-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN114373682A | 公开（公告）日： | 2022-04-19 |
| 发明（设计）人： | 李喜峰;王琛 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | H01L21/34 | 分类号： | H01L21/34;H01L29/10;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 刘芳 |
| 地址： | 200444*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种背沟道刻蚀结构氧化物薄膜晶体管的制备方法。所述制备方法包括：在基板上形成栅电极层；在栅电极层上制备栅绝缘层；在栅绝缘层上制备沟道层；在沟道层上附加耐刻蚀沟道层，形成双有源层；对双有源层进行图案化处理，形成图案化后的双有源层；在双有源层上制备源漏电极并进行图案化处理，形成图案化后的源漏电极层；在源漏电极层上制备钝化层并进行图案化和打孔处理，形成打孔后的样片；对打孔后的样片进行退火处理，形成BCE结构TFT成品。本发明方法适用于TFT制程，能够防止BCE结构TFT的金属电极刻蚀对有源层的损伤导致的器件关断和性能退化，同时制程简单、节省成本并且便于工业化应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟道 刻蚀 结构 氧化物 薄膜晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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