[发明专利]III族氮化物半导体光电器件结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202210012371.6 | 申请日： | 2022-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN116435428A | 公开（公告）日： | 2023-07-14 |
| 发明（设计）人： | 冯美鑫;孙钱;刘建勋;黄应南;孙秀建;杨辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/38;H01L33/00;H01S5/042;H01S5/343 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王锋 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种III族氮化物半导体光电器件结构及其制备方法。所述光电器件结构包括沿指定方向依次设置的p型半导体层、有源区和n型半导体层所形成的外延结构以及与p型半导体层配合的p电极和与n型半导体层配合的n电极；所述外延结构中还形成有电流注入窗口；其中，所述p电极至少覆盖p型半导体层表面的第一区域且与p型半导体层形成欧姆接触，所述第一区域环绕第二区域设置，所述第二区域与所述电流注入窗口对应设置。本发明中提供的III族氮化物半导体光电器件结构具有串联电阻低、光损耗小和热阻小等优点，可大幅提升光电性能和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | iii 氮化物 半导体 光电 器件 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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