[发明专利]一种低内损耗低电阻高效率半导体结构及其制备方法有效
| 申请号： | 202210012474.2 | 申请日： | 2022-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN114079227B | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 王俊;谭少阳;周立;丁永康;肖垚;廖新胜;闵大勇 | 申请（专利权）人： | 苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/20 | 分类号： | H01S5/20;H01S5/343 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 薛异荣 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市高新区昆仑山路189号*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种低内损耗低电阻高效率半导体结构及其制备方法，包括：半导体衬底层；位于所述半导体衬底层上的第一限制层；位于所述第一限制层背离所述半导体衬底层一侧的第一波导层；位于所述第一波导层背离所述第一限制层一侧的有源层；位于所述有源层背离所述第一波导层一侧的第二波导层；位于所述第二波导层背离所述有源层一侧的第二限制层；第一限制层、第一波导层、有源层、第二波导层、第二限制层中具有特征光场，在外延厚度方向上，第一限制层、第一波导层、第二波导层和第二限制层的掺杂浓度随着特征光场的强度的增加而降低。低内损耗低电阻高效率半导体结构的发光效率有效的提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 损耗 电阻 高效率 半导体 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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