[发明专利]金属-绝缘体-金属电容器结构及形成方法有效
| 申请号： | 202210012721.9 | 申请日： | 2022-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN114038832B | 公开（公告）日： | 2022-04-05 |
| 发明（设计）人： | 张志敏;陈献龙 | 申请（专利权）人： | 广州粤芯半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768;H01L49/02 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 冯启正 |
| 地址： | 510000 广东省广州*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种金属‑绝缘体‑金属电容器结构，包括下电极、介质层、界面层以及上电极；介质层形成于下电极上；上电极形成于介质层上；界面层形成于介质层与上电极之间，和/或，界面层形成于介质层与下电极之间；其中，下电极包括互连金属层及金属阻挡层，金属阻挡层位于互连金属层与介质层之间，金属阻挡层的厚度大于400埃，界面层的粗糙度小于金属阻挡层面向介质层的表面的粗糙度，界面层的介电常数大于介质层的介电常数。本发明中，通过增厚下电极中的金属阻挡层的厚度，及增设界面层覆盖金属阻挡层和/或介质层的上表面，用以光滑下电极的表面，从而提高其击穿电压，并利用第二介电常数大于第一介电常数，以提高其电容值。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 绝缘体 电容器 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广州粤芯半导体技术有限公司，未经广州粤芯半导体技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210012721.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体机台的上料方法
- 下一篇：一种抗物理传输形变的端到端图像隐写方法
