[发明专利]像素结构在审
| 申请号： | 202210013292.7 | 申请日： | 2022-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN114361199A | 公开（公告）日： | 2022-04-15 |
| 发明（设计）人： | 陈奕宏;李佳安;林冠亨 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/15 | 分类号： | H01L27/15;H01L33/50;G09F9/33 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 聂慧荃;郑特强 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种像素结构，包括依序堆叠的第一半导体层、第一有源层、第二半导体层、第二有源层、第三半导体层及电极层。电极层的第一部通过第三半导体层的第一部的第一开口、第二有源层的第一部的第一开口、第二半导体层的第一部的第一开口及第一有源层的第一部的第一开口电性连接至第一半导体层的第一部。电极层的第二部通过第三半导体的第二部的第二开口及第二有源层的第二部的第二开口电性连接至第二半导体层的第二部。电极层的第三部电性连接至第三半导体层的第二部。 | ||
| 搜索关键词： | 像素 结构 | ||
【主权项】：
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- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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