[发明专利]半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202210014858.8 | 申请日： | 2022-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN116453944A | 公开（公告）日： | 2023-07-18 |
| 发明（设计）人： | 薛东 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/768;H01L23/544;G03F9/00 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 王辉;阚梓瑄 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本公开涉及半导体技术领域，公开了一种半导体器件及其制备方法；该制备方法包括：提供一衬底，包括对位区域和连接区域；在衬底之上形成第一导电层；在第一导电层之上形成隔离材料层组；在隔离材料层组之上形成保护层，且保护层位于对位区域上；对隔离材料层组以及保护层进行蚀刻，对保护层的蚀刻速率小于对隔离材料层组的蚀刻速率，以去除连接区域上的隔离材料层组形成隔离层组，并在对位区域的隔离层组上形成对位凹槽，对位凹槽的深度小于隔离层组的厚度；在隔离层组和第一导电层之上形成第二导电层组，第二导电层组覆盖对位凹槽。对位凹槽的深度较浅，深宽比较小，光刻机可以很好地通过对位凹槽进行对准。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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