[发明专利]一种硅锗异质结光电晶体管及其制造方法在审
申请号: | 202210015492.6 | 申请日: | 2022-01-07 |
公开(公告)号: | CN114335234A | 公开(公告)日: | 2022-04-12 |
发明(设计)人: | 王冠宇;魏进希;孔森林;凌鹏;向盈聪;宋琦;王巍 | 申请(专利权)人: | 重庆邮电大学 |
主分类号: | H01L31/11 | 分类号: | H01L31/11;H01L31/0352;H01L31/18 |
代理公司: | 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 | 代理人: | 廖曦 |
地址: | 400065 *** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | 本发明涉及一种硅锗异质结光电晶体管及其制造方法,属于电子技术领域。在N型Si衬底上进行热氧化处理形成二氧化硅作为埋氧层;通过离子注入形成N+亚集电区和N‑集电区;通过氮化形成四氮化三硅牺牲保护层;在基极窗口所对应的集电区的位置进行硼离子注入,并执行快速热退火操作以消除晶格损伤;在N‑集电区边缘通过离子注入形成N+区域连接N+亚集电区;在硅锗基区的Ge组分采用阶梯型分布;在单晶Si包层上淀积N+多晶硅作为发射极;在集电区刻蚀Si并淀积Ge组分为20%的SiGe材料作为SiGe应力源。本发明中在集电区引入了单轴压应力,提高了载流子的迁移率和器件的频率特性。 | ||
搜索关键词: | 一种 硅锗异质结 光电晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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