[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202210015814.7 | 申请日： | 2022-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN116454019A | 公开（公告）日： | 2023-07-18 |
| 发明（设计）人： | 韩静利;于海龙 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 郭学秀 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底，基底上形成有第一介电层，基底包括第一区域和第二区域，第一区域的第一介电层中形成有贯穿第一介电层的导电层，第二区域的第一介电层的顶部形成有高电阻层，第一介电层、导电层和高电阻层的顶部形成有第二介电层，导电层的顶部形成有露出导电层顶面的的第一通孔，高电阻层的顶部形成有露出高电阻层顶面的第二通孔；在第一通孔中形成电连接导电层的第一互连插塞；对第二通孔露出的第二介电层的侧壁进行刻蚀，用于增大第二通孔的横向尺寸，第二通孔露出遮盖区域的高电阻层顶部；在第二通孔中形成第二互连层插塞。降低在第二互连插塞与高电阻层之间产生空洞缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
