[发明专利]一种半导体掺杂及氧化剂包覆的单晶三元正极材料及其制备方法有效
| 申请号： | 202210018690.8 | 申请日： | 2022-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN114420907B | 公开（公告）日： | 2023-10-10 |
| 发明（设计）人： | 张彩红;李崇;吕明;高峰;方向乾;马娜妮;乔水伶 | 申请（专利权）人： | 陕西彩虹新材料有限公司 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;H01M4/485;H01M4/505;H01M4/525;H01M4/58;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 白文佳 |
| 地址： | 712021 陕西省咸*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体掺杂及氧化剂包覆的单晶三元正极材料及其制备方法，属于锂离子电池正极材料制备技术领域，解决现有电池正极材料表面迁移的锂离子极易与材料表面的碳酸根形成碳酸锂，并在高压下分解，极易造成电池胀气的技术问题。本发明公开的一种半导体掺杂及氧化剂包覆的单晶三元正极材料，所述导体掺杂及氧化剂包覆的单晶三元正极材料粒径小，晶体结构完整、倍率性及循环性能好，应用在电池中，可大幅度减少电池胀气问题的出现。本发明公开的一种半导体掺杂及氧化剂包覆的单晶三元正极材料的制备方法，该方法操作简单，使用原料成本低，有利于工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 掺杂 氧化剂 三元 正极 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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