[发明专利]一种降低炉压生长n型直拉单晶硅的方法有效
| 申请号： | 202210020225.8 | 申请日： | 2022-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN114540950B | 公开（公告）日： | 2023-04-28 |
| 发明（设计）人： | 余学功;黄杰;胡泽晨;杨德仁 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C30B27/02 | 分类号： | C30B27/02;C30B29/06 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 彭剑 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种降低炉压生长n型直拉单晶硅的方法，包括以下步骤：(1)将多晶硅料和n型掺杂剂置于石英坩埚中，在氩气气氛下加热至稳定的熔硅；(2)在稳定的熔硅中引入籽晶，随后经缩颈、放肩后，进入等径生长阶段；(3)在等径生长的全阶段或者中后期阶段，保持拉晶速率不变，降低单晶炉内氩气气压，提高炉内真空度到适当值并保持至直拉单晶硅生长完成。本发明通过全阶段降压生长或局部阶段降压生长单晶硅棒，提高n型直拉单晶硅轴向电阻率的方法中，炉内真空度可以通过程序控制，方便快捷；能够减少氩气的使用量，降低气体使用成本；直拉单晶硅的轴向电阻率均匀性得到明显改善，显著提高了硅棒的利用率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 生长 型直拉 单晶硅 方法 | ||
【主权项】：
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