[发明专利]基于电容自举升压的NMOS高侧开关控制电路及方法在审
| 申请号： | 202210020951.X | 申请日： | 2022-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN114400994A | 公开（公告）日： | 2022-04-26 |
| 发明（设计）人： | 谢建军;童诚;周获 | 申请（专利权）人： | 宁波正洋汽车部件有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/567 | 分类号： | H03K17/567;H03K17/06 |
| 代理公司： | 杭州斯可睿专利事务所有限公司 33241 | 代理人： | 唐迅 |
| 地址： | 315104 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种基于电容自举升压的NMOS高侧开关控制电路及方法，包括微控器、定时器、开关控制电路，开关控制电路包括方波电平、第三快速二极管、第三小信号开关NMOS管、小信号PNP型三极管、自举电容、第一开关NMOS管、第二开关NMOS管、小信号NPN型三极管、第一旁路电容、第一快速二极管、第二快速二极管以及直流稳压源。本发明利用微控器输出方波控制电平，控制电容自举升压，使第一开关NMOS管的栅极电位大于源极电位与门阀值电压V |
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| 搜索关键词： | 基于 电容 升压 nmos 开关 控制电路 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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