[发明专利]一种高抑制比背入射AlGaN基日盲探测器在审
| 申请号： | 202210021438.2 | 申请日： | 2022-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN114373809A | 公开（公告）日： | 2022-04-19 |
| 发明（设计）人： | 周东;陆海 | 申请（专利权）人： | 苏州镓敏光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/108;H01L31/18 |
| 代理公司： | 南京中律知识产权代理事务所(普通合伙) 32341 | 代理人： | 李建芳 |
| 地址： | 215002 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高抑制比背入射AlGaN基日盲探测器，在蓝宝石衬底背面镀有UVC滤光膜，UVC滤光膜截止波长范围为280nm‑400nm。本发明高抑制比背入射AlGaN基日盲探测器，改进了现有AlGaN基日盲探测器抑制比偏低，在UVA和UVB有微弱响应的不足，通过实践验证，本发明的高抑制比AlGaN基日盲探测器与常规AlGaN基日盲探测器制备工艺兼容，在保证日盲波段量子效率的同时，进一步抑制了AlGaN基日盲紫外探测器在UVA和UVB波段的响应。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 抑制 入射 algan 基日盲 探测器 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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