[发明专利]二维半导体材料高效应变柔性衬底及其制备方法在审
| 申请号： | 202210023131.6 | 申请日： | 2022-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN114496806A | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 刘明岩;万逸;阚二军;赵益彬 | 申请（专利权）人： | 南京理工大学 |
| 主分类号： | H01L21/463 | 分类号： | H01L21/463;H01L21/683;H01L27/12;H01L29/24 |
| 代理公司： | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人： | 刘海霞 |
| 地址： | 210094 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种二维半导体材料高效应变柔性衬底及其制备方法。所述方法先配置聚乙烯吡咯烷酮和聚乙烯醇溶液，并机械剥离制备薄层二维半导体材料，然后依次使用聚乙烯吡咯烷酮溶液和聚乙烯醇溶液对薄层二维半导体材料进行旋涂，最后使用胶水将柔性基底和旋涂后的SiO |
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| 搜索关键词： | 二维 半导体材料 高效 应变 柔性 衬底 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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