[发明专利]基于二维材料的异质结器件及包含其的光电探测器和方法在审
申请号: | 202210023364.6 | 申请日: | 2022-01-10 |
公开(公告)号: | CN114373825A | 公开(公告)日: | 2022-04-19 |
发明(设计)人: | 朱瑞;朱健;郝成龙;谭凤泽 | 申请(专利权)人: | 深圳迈塔兰斯科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/109 | 分类号: | H01L31/109;H01L31/18;H01L31/0352;H01L31/0232;B82Y20/00 |
代理公司: | 深圳市深佳知识产权代理事务所(普通合伙) 44285 | 代理人: | 夏欢 |
地址: | 518101 广东省深圳市宝安区新安街道*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本申请提供了一种基于二维材料的异质结器件和包含其的光电探测器及方法,属于光学技术领域。该基于二维材料的异质结器件,包括纳米结构层和二维材料层;其中,所述纳米结构层包括多个阵列排布的纳米结构,所述纳米结构为金属;所述二维材料层包括至少一层各向异性二维材料;所述纳米结构设置于所述至少一层各向异性二维材料的一侧,使所述纳米结构层与所述二维材料层形成异质结。通过本申请实施例提供的基于二维材料的异质结器件,通过各向异性二维材料和金属纳米结构形成异质结提高了该异质结的响应度和偏振敏感度,缩短了该异质结器件的响应时间,从而提高了包含该异质结器件的光电探测器的性能。 | ||
搜索关键词: | 基于 二维 材料 异质结 器件 包含 光电 探测器 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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