[发明专利]一种离子注入增强多层薄膜硅化物方法在审
| 申请号： | 202210028297.7 | 申请日： | 2022-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN114373678A | 公开（公告）日： | 2022-04-19 |
| 发明（设计）人： | 洪学天;王尧林;林和;黄宏嘉;牛崇实;赵大国 | 申请（专利权）人： | 弘大芯源（深圳）半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205 |
| 代理公司： | 北京冠和权律师事务所 11399 | 代理人： | 时嘉鸿 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝安区航城街道*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种离子注入增强多层薄膜硅化物方法。所述离子注入增强多层薄膜硅化物方法是穿过半导体硅衬底上已沉积形成的单层或多层金属薄膜，对所述单层或多层金属薄膜进行氩离子轰击，从而穿过所述单层或多层金属薄膜在欧姆接触区表面上形成硅化物层。具体包括：步骤1、在晶向为100的硅晶片上形成半导体器件区域；步骤2、在所述半导体器件区域的半导体硅衬底上形成单层或多层金属膜；步骤3、穿过所述单层或多层金属膜对所述硅晶片衬底进行氩离子轰击，在欧姆接触区表面上形成硅化物层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 离子 注入 增强 多层 薄膜 硅化物 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
