[发明专利]电解法制备高活性氧化铟的方法、ITO靶材的制备方法有效

专利信息
申请号: 202210031235.1 申请日: 2022-01-12
公开(公告)号: CN114540826B 公开(公告)日: 2023-09-19
发明(设计)人: 唐安泰 申请(专利权)人: 株洲火炬安泰新材料有限公司
主分类号: C25B1/01 分类号: C25B1/01;C25B1/50;C01G15/00;C04B35/453;C04B35/622;B82Y40/00;B82Y30/00;C04B35/626
代理公司: 长沙朕扬知识产权代理事务所(普通合伙) 43213 代理人: 段红玉
地址: 412000 湖南省株洲*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 发明所提供了一种电解法制备高活性氧化铟的方法、ITO靶材的制备方法,电解法制备高活性氧化铟的方法包括以下步骤:(1)金属铟为阳极,导电基体为阴极,硝酸铵水溶液为电解液进行电解,得到氢氧化铟沉淀;温度控制在25~45℃之间,电流密度为15~20A/dm2,电压为0.35~0.45V;(2)将氢氧化铟沉淀水洗、压滤、干燥,得氢氧化铟;(3)煅烧。ITO靶材的制备方法,包括以下步骤:1)采用上述方法制备氧化铟;2)将氧化铟及氧化锡混匀,加水球磨,喷雾干燥造粒,得粉料;3)将粉料进行冷等静压成型;4)气氛烧结。本发明先通过优化的制备工艺,制备出高活性氧化铟粉末,再将该高活性氧化铟与氧化锡经混合球磨、造粒成型、气氛烧结可得到高密度ITO靶材。
搜索关键词: 解法 制备 活性 氧化 方法 ito
【主权项】:
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