[发明专利]一种高平坦度的下极板的MIM电容及其制造方法在审
| 申请号： | 202210031920.4 | 申请日： | 2022-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN114388270A | 公开（公告）日： | 2022-04-22 |
| 发明（设计）人： | 李其鲁;丁文波;叶甜春;朱纪军;罗军;李彬鸿;赵杰 | 申请（专利权）人： | 澳芯集成电路技术（广东）有限公司;广东省大湾区集成电路与系统应用研究院 |
| 主分类号： | H01G4/30 | 分类号： | H01G4/30;H01G4/005;H01L23/64;H01L49/02 |
| 代理公司： | 无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙) 32260 | 代理人： | 苗雨 |
| 地址： | 510700 广东省广州市黄*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及MIM电容技术领域,公开了一种高平坦度的下极板的MIM电容及其制造方法，在本发明的制造方法中，通过将TEOS与氧气反应后生成的二氧化硅沉积在衬底上，能够为第一金属层提供一个优质的PVD淀积生长起始层，从而使生成的第一金属层更加匀质、稳定；在本发明的方法中，通过物理气相方法生长第一金属层即第一铝层、第三金属层即钛层和下盖板层后，然后使用化学气相沉积生长电介质层，在该化学气相沉积工艺中铝层和钛层的接触面会反应生成铝钛合金，该铝钛合金会抑制铝层的原子向上迁移，进而避免铝层出现鼓包的现象。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 平坦 极板 mim 电容 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于澳芯集成电路技术（广东）有限公司;广东省大湾区集成电路与系统应用研究院，未经澳芯集成电路技术（广东）有限公司;广东省大湾区集成电路与系统应用研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210031920.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种介电层平坦度优化的方法及装置
- 下一篇：抗浮地下建筑物
