[发明专利]半导体装置，记忆体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202210032310.6 | 申请日： | 2022-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN114695376A | 公开（公告）日： | 2022-07-01 |
| 发明（设计）人： | 刘朋骏;郑雅云;刘逸青;林孟汉;黄家恩 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/1159 | 分类号： | H01L27/1159;H01L27/11597 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体装置，记忆体装置及其制造方法，半导体装置包含沿垂直方向延伸的第一导电结构及沿垂直方向延伸的第二导电结构。第二导电结构沿一侧向与第一导电结构间隔开。半导体装置进一步包含多个第三导电结构，各个第三导电结构沿该侧向延伸。多个第三导电结构跨第一导电结构及第二导电结构设置。第一导电结构及第二导电结构各具有沿该侧向的变化宽度。根据第一导电结构及第二导电结构的变化宽度，多个第三导电结构具有个别不同的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 记忆体 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
