[发明专利]一种基于同轴硅通孔工艺的三维片上环形定向耦合器有效
| 申请号： | 202210033820.5 | 申请日： | 2022-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN114512783B | 公开（公告）日： | 2022-11-08 |
| 发明（设计）人： | 董刚;熊伟;朱樟明;杨银堂 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01P5/18 | 分类号： | H01P5/18 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 王萌 |
| 地址： | 710000 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于同轴硅通孔工艺的三维片上环形定向耦合器，包括：自上而下依次层叠设置的顶部布线层、衬底层和底部布线层，顶部布线层设置在衬底层的上表面，底部布线层设置在衬底层的下表面，顶部布线层内设置有顶部互连线，衬底层内垂直贯穿设置有若干TSV通孔和若干同轴TSV通孔，底部布线层内设置有底部互连线。本发明的基于同轴硅通孔工艺的三维片上环形定向耦合器，利用了同轴TSV内外层间的耦合特性并将其与衬底上下两部分多层布线交替连接，对电路拓扑中的耦合部分进行了等效，实现了1至4端口间结构的三维化，该结构相较于传统的耦合微带线结构其特性调整灵活度更高，减少了最小线间距等工艺限制的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 同轴 硅通孔 工艺 三维 环形 定向耦合器 | ||
【主权项】：
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