[发明专利]一种降低硅片产线成本和提升开压的方法在审
| 申请号： | 202210037850.3 | 申请日： | 2022-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN114420776A | 公开（公告）日： | 2022-04-29 |
| 发明（设计）人： | 王璐;李新岳;朱娜;潘冬新 | 申请（专利权）人： | 江苏润阳悦达光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0236 | 分类号： | H01L31/0236;H01L31/0216;H01L31/18;H01L21/02 |
| 代理公司： | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 | 代理人： | 毛姗 |
| 地址： | 224005 江苏省盐*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种降低硅片产线成本和提升开压的方法:(1)将产线上的批量硅片清洗，去除表面脏污；(2)用去离子水清洗并烘干；(3)在硅片的背面镀一层保护膜；(4)对硅片进行制绒，得到单面绒面的硅片；(5)进行扩散、PSG工艺；(6)配制硅片减重液，将硅片置于减重液中进行碱抛，使硅片减重；(7)减重后进行氧化处理；(8)接着在硅片的背面进行氧化铝、氮化硅一体化镀膜；(9)后续正常进行硅片产线流程。本发明提供的方法是一种单面制绒工艺，可以降低硅片成本和碎片率；制得的硅片背面为一个几乎完整的平面，比表面积较小，可以使得钝化膜沉积更加均匀，降低沉积时间，提升效率并且可节省三甲基铝以及特气的耗量，降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 硅片 成本 提升 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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