[发明专利]一种批量生长高均一性晶硅纳米线的方法在审
| 申请号： | 202210041204.4 | 申请日： | 2022-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN114400247A | 公开（公告）日： | 2022-04-26 |
| 发明（设计）人： | 余林蔚;程银子;刘宗光 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 南京乐羽知行专利代理事务所(普通合伙) 32326 | 代理人： | 李培 |
| 地址： | 210000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开批量生长高均一性晶硅纳米线的方法，包括：第一步，在设有引导沟槽的目标衬底上旋涂光刻胶，利用光刻定义出图形，暴露出催化剂金属待沉积区域，利用等离子体向下刻蚀，形成阴影台阶；第二步，利用氧气等离子将光刻胶水平向内缩蚀，形成沉积台阶；第三步，将目标衬底样品旋转固定，以光刻胶作为阴影，在目标衬底上蒸镀沉积得到目标宽度的催化金属条；第四步，蒸镀完毕后将目标样品置于丙酮溶液超声清洗，除去多余的光刻胶，并利用氢等离子体处理催化金属得到直径均一的金属球；第五步，对整个目标衬底结构覆盖一层非晶硅前驱体并进行退火处理，使催化金属球沿着引导沟槽移动并吸收非晶硅前驱体，形成目标直径均一的纳米线。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 批量 生长 均一 性晶硅 纳米 方法 | ||
【主权项】：
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