[发明专利]一种石墨烯阵列表面原位生长碳纳米洋葱、制备方法及应用在审
| 申请号： | 202210042298.7 | 申请日： | 2022-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN114348993A | 公开（公告）日： | 2022-04-15 |
| 发明（设计）人： | 李新禄;郑永汉;夏斓 | 申请（专利权）人： | 重庆锦添翼新能源科技有限公司;惠州市金龙羽电缆实业发展有限公司 |
| 主分类号： | C01B32/18 | 分类号： | C01B32/18;C01B32/194 |
| 代理公司： | 重庆青飞知识产权代理有限公司 50283 | 代理人： | 张琴 |
| 地址： | 401329 重庆市九*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种石墨烯阵列表面原位生长碳纳米洋葱、制备方法及应用，以石墨烯阵列为基底，在催化剂的作用下，通过化学气相沉积，在石墨烯阵列表面原位生长出碳纳米洋葱，使得碳纳米洋葱颗粒均匀生长在石墨烯阵列表面，具有良好的分布均匀性、结晶度以及稳定性。碳纳米洋葱与石墨烯阵列的组合，综合了两者功能上的优点，石墨烯阵列提供了大的比表面积、良好的导电导热基底以及分散性，碳纳米洋葱的原位生长进一步增强了石墨烯阵列的功能性，提供了电磁属性和自旋电子属性，使其可以在真空微电子、电磁屏蔽、催化、电化学储能等方面具有广阔的应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 阵列 表面 原位 生长 纳米 洋葱 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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