[发明专利]包括主动区的晶体管及其形成方法在审
| 申请号： | 202210042790.4 | 申请日： | 2022-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN114914297A | 公开（公告）日： | 2022-08-16 |
| 发明（设计）人： | 蔡武卫;陈海清;林柏廷 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/24 | 分类号： | H01L29/24;H01L29/786;H01L21/34;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 康艳青;王琳 |
| 地址： | 中国台湾新竹科学工业园区新*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种薄膜晶体管包括具有正向或反向顺序的有源层、栅极介电层以及栅极电极的堆叠结构。有源层包括包含氧的化合物半导体材料、选自Ga和W的至少一种受体型元素以及选自In和Sn的至少一种重后过渡金属元素。接触栅极介电层的有源层的第一表面部分处的重后过渡金属元素的原子百分比高于位于栅极介电层相对侧的有源层的第二表面部分处的重后过渡金属元素的原子百分比。可以增加前沟道电流，且可以减小后沟道漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 主动 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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