[发明专利]一种梯度掺杂的宽光谱自供能光电探测器

摘要

本发明公开了一种梯度掺杂的宽光谱自供能光电探测器，包括梯度掺杂n型半导体薄膜、p‑Si衬底、电极；所述梯度掺杂n型半导体薄膜为元素A的掺杂比例沿厚度方向逐渐变化的ZnO薄膜，其中A为Mn或Mg，0x0.2。所述梯度掺杂可获得便于载流子输运的能带梯子和增强光生载流子有效输运的梯度场，与杂质均匀(或本征)的半导体光电探测器相比，梯度掺杂可大幅提升光电探测器的光响应度和探测率。本发明实现了300～1700nm宽光谱自供能光电探测器，广泛应用于图像传感、环境监测、遥控探测等军事和民用领域。